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記憶張量開源 MemT 1.0 系列記憶原生模型，最大型號 Flash 總引數 288B、啟用 17B，較小的 Nano 為 36B 總參、3B 啟用。兩者分別在選定的 Transformer 模組里加入與原注意力並行的記憶分支，把經驗編碼成可更新的內部矩陣狀態，據稱為記憶原生模型首次做到近 300B 引數規模的工程驗證。在 SWE-bench Verified 的 500 項任務各跑三次中，Nano 三次全成功率由無經驗的 54.00% 升至 62.80%；
一位開發者把 AI Agent 跑在了只有 48MB RAM 的諾基亞 110 功能機上，並已用它自動化了幾個操作。他平時用這部手機來減少螢幕時間，最初嘗試刷入 Android 系統，因記憶體只有 48MB 而失敗，隨後花幾天時間逆向工程，最終讓 AI Agent 在這臺手機上執行。該帖發在 Hacker News 的 Show HN 板塊，目前 15 分、3 條評論，作者未說明所用的是哪個 AI 模型，也沒列出具體自動化了哪些操作。
OpenAI 於 9 月 21 日發布官方戰略宣告，把自動化 AI 研究員與遞迴自我改進（RSI）列為下一階段重要目標，並計劃在 2028 年 3 月前打造真正的自動化 AI 研究員；Anthropic 同期披露，截至 8 月 Claude 已在約 26% 的內部 AI 研發工作中承擔主導角色。
llama.cpp 伺服器新增 --models-memory-max 引數，當已載入模型超過設定的記憶體上限時自動動態解除安裝。該限制以每臺裝置分別計算的記憶體餘量（margin）形式生效，載入前會把待載入模型的大小計入估算，並用 no_alloc 預估模型載入所需記憶體；只有在記憶體超限且沒有空閒模型可解除安裝時，才拒絕新的載入請求。此次還修正了兩個問題：測量子程序的記憶體統計偏差會使 --fit 下把其他程序佔用算成零，以及排隊載入被閾值阻塞時陷入反覆重試。
有使用者報告，用 Strata 執行 Qwen3.8 Next 的 IQ3_XXS 權重（接近 80GB），在 DDR4 記憶體加 7900XTX 的慢速平台上穩定達到 45-70 token/s，編碼時因 mtp 有時更高。同一臺機器上經調優的 llama.cpp 最高約 22.5t/s，且該使用者認為品質明顯更好，但不推薦 Q2 權重。12GB 和 16GB 顯示卡使用者有類似結果，DDR5 平台則顯著更快。
llama.cpp 發布 b11446，Metal 後端修復量化 flash attention 中 threadgroup memory 超額佔用的問題，對應 PR #29340。
加州大學聖塔芭芭拉分校、斯坦福等六家機構聯合提出多模態 Agent 記憶評測基準 WorldMemArena，論文已被 NeurIPS 2026 接收。該基準含 400 多項多會話任務、24,258 組問答與 15,595 張影像截圖，把記憶拆成寫入、維護、檢索、使用四個環節來定位失敗原因。初步結果顯示，存得多不等於用得好：M2A 記憶召回率 86.83%，問答正確率僅 50.14%；
記憶張量發布並開源 MemT 1.0，稱其為業內首個記憶原生基座模型，歷史資訊被編碼為可更新的內部記憶狀態，隨每輪對話逐 token 更新並可跨會話儲存恢復。兩個版本為 MemT-1.0-Flash（288B 引數、17B 啟用、336M 動態記憶）與 Nano（36B 引數、3B 啟用、10M 動態記憶）。
llama.cpp 發布 b11901 建置，SYCL 後端的重排（reorder）臨時記憶體被限制在 32 MiB（PR #31062）。該版本照例提供各平台預編譯包，包括 macOS Apple Silicon、Linux/Windows 的 CUDA 12.8 與 CUDA 13.4、ROCm 10.0、Vulkan、OpenVINO、SYCL FP32/FP16，以及 Snapdragon 的 CPU、Adreno GPU 與 Hexagon NPU。
Intel 公布面向 agentic AI 的資料中心推理 GPU D270，單卡最高 480GB LPDDR5X 記憶體，350W 風冷，不依賴 HBM。晶片面積從圖形與光追管線轉向 32 個 Xe3P 核心和 256 個 XMX 矩陣引擎，用於加速長上下文、多輪 agent 工作流的 prefill 與高併發服務。
Percepta 公布新架構 Spotlight，用可讀寫記憶取代注意力機制，宣稱是首個實現記憶無限增長而不增加訪問成本的架構。每個 token 只讀寫少量記憶單元，稀疏度可任意調節，不像 MoE 那樣固定啟用比例。該架構把負責計算的智慧模組與存放知識、流程和狀態的記憶分離，模型權重不隨記憶增長而改變，可自行決定載入與覆寫，從而無需重訓練即可獲得新能力。
馬斯克在 X 上發帖表示，中國將在 2028 年生產大量 RAM（記憶體）。該表態沒有給出具體產能數字、涉及廠商或產品細節，也未說明判斷依據。帖子發布於 2026 年 10 月 15 日。