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銘芯啟睿流片國際首款 1T4R 1Gb RRAM 晶片
銘芯啟睿（MemSilicon）10 月 12 日宣布完成國際首款 1T4R 結構的 1Gb RRAM 晶片「泰山一號」流片，採用 28nm CMOS 工藝。該晶片密度達 30Mb/mm²，訪問延時小於 20ns，並整合片上硬體糾錯電路，目前正在推進驗證。公司另佈局嵌入式 RRAM IP 與 RRAM+DRAM 混合存算兩條產品線，面向顯示驅動、MCU 及端側推理等場景。
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銘芯啟睿流片國際首款 1T4R 1Gb RRAM 晶片泰山一號
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2026 年 10 月 12 日，銘芯啟睿（MemSilicon）宣布完成基於 1TnR 技術路線的首代高密度、大容量 RRAM 晶片“泰山一號（MountTai 2026）”流片，目前正在推進驗證。該晶片採用 28nm CMOS 工藝平台與 1T4R 單元結構，即一個選擇電晶體對應四個阻變儲存單元，單晶片容量 1Gb，密度達 30Mb/mm²，訪問延時小於 20ns，並整合片上硬體糾錯電路，被稱為國際首款高密度大容量 1T4R 1Gb RRAM 晶片。1TnR 路線的思路是讓多個阻變儲存單元共享選擇電晶體，降低平均到每個單元的電晶體面積開銷，同時採用與 CMOS 平台完全相容的後道整合方式。公司技術積累源自中國科學院劉明院士團隊，該團隊早在 2020 年已公開 28nm 1T2R RRAM 研究。針對共享電晶體帶來的非目標電流路徑、讀寫干擾與可靠性問題，晶片在電路與架構層面引入負壓設計與統一復位電路以抑制陣列漏電流，採用多電壓域字線驅動電路解耦高低壓讀寫路徑並配合自適應保護偏置電壓降低誤寫風險，還開發片上自適應跟隨讀取電路以解決 Gb 級容量下的讀可靠性與讀良率難題。產業層面，三星、台積電、格芯等主要晶圓代工廠已將 RRAM 納入先進工藝節點路線圖，台積電明確覆蓋 12nm 和 6nm 節點，英飛凌已為 28nm 節點微控制器選定 RRAM 方案。銘芯啟睿另佈局嵌入式 RRAM IP 與 RRAM+DRAM 混合存算兩條產品線，面向顯示驅動、MCU 及端側推理等場景。對關注端側 AI 推理、AI PC 與具身智慧終端的人來說，這意味著片上高密度非易失儲存多了一條可供後續產品評估的國產方案。
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10月14日星期三 · 2 則
- 機器之心
銘芯啟睿完成 1Gb RRAM 晶片泰山一號流片，採用 1T4R 結構
2026 年 10 月 12 日，銘芯啟睿宣布完成首代高密度、大容量 RRAM 晶片“泰山一號”流片，採用 28nm CMOS 工藝與 1T4R 單元結構，單晶片容量 1Gb，密度 30Mb/mm²，訪問延時小於 20ns，並整合片上硬體糾錯電路。該路線讓一個選擇電晶體對應四個阻變儲存單元，以降低每單元電晶體面積開銷，被稱為國際首款高密度大容量 1T4R 1Gb RRAM 晶片。目前該晶片已完成流片，正在推進驗證。
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