2026 年 10 月 12 日，銘芯啟睿（MemSilicon）宣布完成基於 1TnR 技術路線的首代高密度、大容量 RRAM 晶片“泰山一號（MountTai 2026）”流片，目前正在推進驗證。該晶片採用 28nm CMOS 工藝平台與 1T4R 單元結構，即一個選擇電晶體對應四個阻變儲存單元，單晶片容量 1Gb… 看完整事件
銘芯啟睿流片國際首款 1T4R 1Gb RRAM 晶片
銘芯啟睿（MemSilicon）10 月 12 日宣布完成國際首款 1T4R 結構的 1Gb RRAM 晶片「泰山一號」流片，採用 28nm CMOS 工藝。該晶片密度達 30Mb/mm²，訪問延時小於 20ns，並整合片上硬體糾錯電路，目前正在推進驗證。公司另佈局嵌入式 RRAM IP 與 RRAM+DRAM 混合存算兩條產品線，面向顯示驅動、MCU 及端側推理等場景。
國際首倡 CMOS 相容 1TnR 路線的團隊首次把該結構推到 Gb 級，公布 30Mb/mm²密度、小於 20ns 延時與片上糾錯等引數，對關注新型非易失儲存與存算一體的從業者有參考價值。
原標題：MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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