2026 年 10 月 12 日，銘芯啟睿（MemSilicon）宣布完成基於 1TnR 技術路線的首代高密度、大容量 RRAM 晶片“泰山一號（MountTai 2026）”流片，目前正在推進驗證。該晶片採用 28nm CMOS 工藝平台與 1T4R 單元結構，即一個選擇電晶體對應四個阻變儲存單元，單晶片容量 1Gb… 看完整事件
銘芯啟睿完成 1Gb RRAM 晶片泰山一號流片，採用 1T4R 結構
2026 年 10 月 12 日，銘芯啟睿宣布完成首代高密度、大容量 RRAM 晶片“泰山一號”流片，採用 28nm CMOS 工藝與 1T4R 單元結構，單晶片容量 1Gb，密度 30Mb/mm²，訪問延時小於 20ns，並整合片上硬體糾錯電路。該路線讓一個選擇電晶體對應四個阻變儲存單元，以降低每單元電晶體面積開銷，被稱為國際首款高密度大容量 1T4R 1Gb RRAM 晶片。目前該晶片已完成流片，正在推進驗證。
原標題：MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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