美光放棄 4F² DRAM，轉向 3D DRAM
美光宣布不再推進 4F² DRAM 商業化，未來繼續沿用 6F² 架構，把資源投向 3D DRAM。CTO Scott DeBoer 稱，公司投入超過二十年研發 4F²，但從 6F² 縮到 4F² 對密度提升有限，成本和複雜度卻大幅上升；而三星、SK 海力士與長鑫仍在推進 4F²。美光短期路線是提升 1δ 良率、開發採用晶圓鍵合的 1ε，再往後規劃 ζÅ 與 ηÅ 平面 DRAM，最終目標是垂直堆疊儲存單元的單體 3D DRAM。
三大對手仍在押注 4F² 時，美光公開承認二十年研發後放棄該路線，並給出 1δ、1ε 到 3D DRAM 的完整路線圖，是判斷儲存廠商技術分歧的關鍵訊號。
原標題：Why Micron Is Suddenly Ditching 4F² DRAM as Rivals Double Down
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