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銘芯啟睿流片國際首款 1T4R 1Gb RRAM 晶片
銘芯啟睿（MemSilicon）10 月 12 日宣布完成國際首款 1T4R 結構的 1Gb RRAM 晶片「泰山一號」流片，採用 28nm CMOS 工藝。該晶片密度達 30Mb/mm²，訪問延時小於 20ns，並整合片上硬體糾錯電路，目前正在推進驗證。公司另佈局嵌入式 RRAM IP 與 RRAM+DRAM 混合存算兩條產品線，面向顯示驅動、MCU 及端側推理等場景。
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銘芯啟睿完成 1Gb RRAM 晶片泰山一號流片，採用 1T4R 結構
2026 年 10 月 12 日，銘芯啟睿宣布完成首代高密度、大容量 RRAM 晶片“泰山一號”流片，採用 28nm CMOS 工藝與 1T4R 單元結構，單晶片容量 1Gb，密度 30Mb/mm²，訪問延時小於 20ns，並整合片上硬體糾錯電路。該路線讓一個選擇電晶體對應四個阻變儲存單元，以降低每單元電晶體面積開銷，被稱為國際首款高密度大容量 1T4R 1Gb RRAM 晶片。目前該晶片已完成流片，正在推進驗證。